Sn 산화물 반도체 및 이의 제조방법

본 발명은 Sn 산화물 반도체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 N형 Sn 산화물 반도체 제조방법은 간단한 공정을 통해 N형 Sn 산화물 반도체를 형성할 수 있어 제조비용 및 제조시간을 감소시킬 수 있고, P형 Sn 산화물 반도체에서 N형 Sn 산화물 반도체로 변환할 부분을 선택할 수 있음에 따라 P형 반도체 또는 N형 반도체 배치 등을 상황에 맞게 적절하게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 N형 Sn 산화물 반도체은 금속 산화물 반도체에 해당하므로, 대면적상에서도 균일한 특성을 보이고, 캐리어 이동성이 크며, 넓은 밴드 갭 및 낮은 누설전류 특성을 가지고, 독성이 적을 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 PN 접합 Sn 산화물 반도체 및 이의 제조방법에 있어서, 본 발명의 PN 접합 Sn 산화물 반도체는 공정이 용이하고, P형 반도체 또는 N형 반도체 적층 두께를 적절하게 조절할 수 있고, 금속 산화물 반도체에 해당하여 대면적상에서도 균일한 특성을 보이고, 캐리어 이동성이 크고, 넓은 밴드 갭 및 낮은 누설전류 특성을 가지며, 독성이 적을 수 있다.