CIM 기반 LCC를 구비한 메모리 디바이스

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CIM 기반 LCC를 구비한 메모리 디바이스는, 6T 셀(cell) 기반 LCC(local computing cell)를 이용하는 CIM(computing-in-memory) 구조의 메모리를 통해, 로컬 비트 라인(local bit line, LBL)의 기생 커패시턴스(parasitic cap)의 비율(ratio)를 통해 멀티 비트 입력(multi bit input) 연산을 구현할 수 있어, 별도의 전압 도메인(domain)과 DAC가 필요한 문제를 해결할 수 있고, 트랜지스터의 동작 영역에 관계없이 입력(input) 전압을 만들어서 넓은 동적 범위(dynamic range)를 얻을 수 있으며, 커패시터 커플링(capacitive coupling)을 사용하여 충전 공유(charge sharing)에 필요한 추가적인 트랜지스터를 제거하고 이를 통해 면적을 줄일 수 있다.